2
C4D10120D Rev. E
Electrical Characteristics (Per Leg)
Symbol
Parameter
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
Note
VF
Forward
Voltage
1.4
1.9
1.8
3
V
IF
= 5 A T
J=25°C
IF
= 5 A T
J=175°C
IR
Reverse
Current
20
40
150
300
μA
VR
= 1200 V T
J=25°C
VR
= 1200 V T
J=175°C
QC
Total
Capacitive
Charge
27
nC
VR
=
800
V,
IF
= 5A
di/dt
=
200
A/μs
TJ
=
25°C
C
Total
Capacitance
390
27
20
pF
VR
=
0
V,
TJ
=
25°C,
f
=
1
MHz
VR
=
400
V,
TJ
=
25?C,
f
=
1
MHz
VR
=
800
V,
TJ
=
25?C,
f
=
1
MHz
Note:This
is
a
majority
carrier
diode,
so
there
is
no
reverse
recovery
charge.
Thermal Characteristics
Symbol
Parameter
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
Note
RθJC
Thermal
Resistance
from
Junction
to
Case
1.6*
0.8**
°C/W
*
Per
Leg,
**
Per
Device
Typical Performance (Per Leg)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
Current (A)
Voltage (V)VF
(V)
Figure
1.
Forward
Characteristics
Figure
2.
Reverse
Characteristics
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
0
500
1000
1500
2000
Current (μA)
VR
(V)
Voltage (V)
TJ=-55°C
TJ=
25°C
TJ=
75°C
TJ
=125°C
TJ
=175°C
TJ=-55°C
TJ=
25°C
TJ=
75°C
TJ
=125°C
TJ
=175°C
I
F
(A)
I
R
(μA)
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